애플리케이션: 칩 DSC 1 - 인듐 용융

Linseis 칩 DSC 시리즈 칩 센서의 낮은 열 질량으로 인해 분당 최대 1000K의 매우 높은 가열 속도를 달성할 수 있습니다.

핵융합의 재현성 핵융합 엔탈피 의 재현성은 높은 가열 속도에서도 우수한 수준을 유지합니다.

이는 시스템의 주요 장점 중 하나이며 폴리머 분석과 같이 빠른 가열 및 냉각 속도가 필요한 경우 품질 관리와 열 이력 및 열 영향 분석에서 높은 시료 처리량을 가능하게 합니다.

이 예는 린세이즈 칩 DSC에서 다양한 가열 속도(5K/min, 50K/min, 100K/min, 200K/min, 300K/min 및 500K/min)로 측정한 인듐 교정 기준 물질의 녹는점을 보여줍니다.

속도가 빨라지면 피크가 더 넓어지고 오프셋을 더 이상 정확하게 측정할 수 없습니다. 시작 온도와 엔탈피는 영향을 받지 않습니다.

적합한 측정 장치

칩 DSC 1

특허받은 혁신적인 센서 개념

유럽

린자이스 메스게라테 GmbH Vielitzerstr.

43 95100 셀브 / 독일

미국

린세이즈(주) 109 노스 골드 드라이브 로빈스빌, 뉴저지 08691

중국

린세이 상하이 과학실 120호, 빌딩 T3, 1220호 위차오 로드, 푸동, 상하이

인도

린세이즈 열 분석 인도 주식회사 플롯 65, 2층, 사이 엔클레이브, 섹터 23, 드와르카, 110077 뉴델리