HCS - Análisis del efecto Hall

Si se coloca un semiconductor portador de corriente en un campo magnético, se puede observar el llamado efecto Hall.
Se debe a la fuerza de Lorentz, que actúa sobre los portadores de carga en movimiento en un campo magnético.

La fuerza de Lorentz desplaza los portadores de carga en un arco perpendicular a las líneas del campo magnético.
La acumulación de los portadores de carga desviados en un lado del semiconductor crea un campo eléctrico perpendicular al campo magnético y a la dirección del flujo de corriente.

La tensión de este campo puede medirse y suele denominarse tensión Hall V_Hall.

Si el campo eléctrico de la tensión Hall y la fuerza de Lorentz son iguales, se alcanza un estado de equilibrio de modo que existe una relación proporcional entre la tensión Hall (V_H), el campo magnético (B) y la corriente (I), que se conoce como coeficiente Hall (R_H).
Éste también depende del grosor del semiconductor (d).

El coeficiente Hall por tanto, puede determinarse midiendo la tensión Hall para un campo magnético y una corriente dados y un grosor conocido del semiconductor mediante la siguiente fórmula:

Según el tipo de muestra (tipo p, tipo n), se obtiene una tensión Hall positiva o negativa.
Si el transporte también está dominado por un tipo de portador de carga, la densidad de portadores de carga n y la movilidad m de la muestra también pueden determinarse mediante la siguiente fórmula:

Con e = carga del portador de carga y ρ = resistencia específica del material.

El medidor Hall de Linseis puede utilizarse en un amplio rango de temperaturas y está disponible con dos tipos de imán diferentes.
Puedes elegir entre un imán permanente, que mide con tres intensidades de campo magnético fijas (campo +, campo 0 y campo -), y un electroimán, que permite intensidades de campo magnético continuas.