Análisis del efecto Hall

Si se coloca un semiconductor portador de corriente en un campo magnético, se puede observar el llamado efecto Hall.
Está causado por la fuerza de Lorentz, que actúa sobre los portadores de carga en movimiento en un campo magnético.

La fuerza de Lorentz desplaza los portadores de carga en un arco perpendicular a las líneas del campo magnético.
La acumulación de los portadores de carga desviados en un lado del semiconductor crea un campo eléctrico perpendicular al campo magnético y a la dirección del flujo de corriente.

La tensión de este campo puede medirse y suele denominarse tensión Hall _VHall.

Si el campo eléctrico de la tensión Hall y la fuerza de Lorentz son iguales, se alcanza un estado de equilibrio de modo que existe una relación proporcional entre la tensión Hall _(VH), el campo magnético (B) y la corriente (I), que se conoce como coeficiente Hall_(RH).
Éste también depende del grosor del semiconductor (d).

El coeficiente Hall por tanto, puede determinarse midiendo la tensión Hall con un campo magnético y una intensidad de corriente dados y un grosor de semiconductor conocido, mediante la siguiente fórmula:

Según el tipo de muestra (tipo p, tipo n), se obtiene una tensión Hall positiva o negativa.
Si el transporte también está dominado por un tipo de portador de carga, la densidad de portadores de carga n y la movilidad m de la muestra también pueden determinarse mediante la siguiente fórmula:

Con e = carga del portador de carga y ρ = resistencia específica del material.

El medidor Hall de Linseis puede utilizarse en un amplio rango de temperaturas y está disponible con dos tipos de imán diferentes. Puedes elegir entre un imán permanente, que mide con tres intensidades de campo magnético fijas (campo +, campo 0 y campo -), y un electroimán, que permite intensidades de campo magnético continuas.